相關文章
Related Articles詳細介紹
EVG810 LT 低溫等離子活化系統應用：用于SOI，MEMS，化合物半導體和高級襯底鍵合的低溫等離子體活化系統
一、簡介
EVG810 LT （LowTemp™）低溫等離子活化系統是一個獨立單腔室系統，具有手動操作功能。 處理室允許非原位處理（晶片一個接一個地激 活并且鍵合在等離子體活化室外部）。
二、特征
用于低溫鍵合的表面等離子體活化（熔合/分子和中間層鍵合）
任何晶圓鍵合機制的快動力學
無需濕法工藝
低溫退火時的高鍵合強度（高400°C）
適用于SOI，MEMS，化合物半導體和先進封裝
高度的材料兼容性（包括CMOS）
三、參數
1.晶圓尺寸：50-200mm，100-300mm
2.低溫等離子活化腔：
工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）
通用大流量控制器：自校準（高達20.000 sccm）
真空系統：0.09 mbar
打開/關閉腔室：自動化
裝載/卸載腔室：手動（晶圓/基板放置在裝載銷上）
3.備選功能：
用于不同的晶圓尺寸的夾頭
金屬離子激 活
帶有氣體混合的附加工藝氣體
帶渦輪泵的高真空系統：0.009 mbar的基礎氣壓
4.符合LowTemp™等離子活化鍵合的材料系統
Si：Si / Si，Si / Si（熱氧化，Si（熱氧化）/ Si（熱氧化）
TEOS / TEOS（熱氧化）
絕緣體鍺（GeOI）的Si / Ge
硅/Si3N4
玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
化合物半導體：GaAs，GaP，InP
聚合物：PMMA，環烯烴聚合物
用戶可以針對上述內容和其他材料使用“佳已知方法”配方（可根據要求提供完整列表）
產品咨詢
